[发明专利]在频域中测量发光寿命的方法无效

专利信息
申请号: 200510011869.7 申请日: 2005-06-06
公开(公告)号: CN1693880A 公开(公告)日: 2005-11-09
发明(设计)人: 徐征;张福俊;徐叙瑢 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: G01N21/68 分类号: G01N21/68
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100044北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种在频域中测量发光寿命的方法,适用于评估:平板发光显示所用发光屏幕的性质以排除发光寿命过长引起的图像拖尾;光源无闪烁发光的条件;发光效率受到的影响。该测量发光寿命的方法的步骤:①用频率能够调节的正弦交流电激发样品;②频率变化的范围:20Hz-200000Hz;③在相同电压不同频率下测量器件的发光光谱;④根据器件在不同频率下的发光亮度的相对数值,绘制发光亮度与激发频率的关系图,找出亮度达到稳态值时的频率fm;⑤1/2fm即发光中心的寿命τ。该方法简单易行,测量成本低。这个方法既适用于测量无机材料的寿命,又适用于测量有机材料的寿命。
搜索关键词: 域中 测量 发光 寿命 方法
【主权项】:
1.一种在频域中测量发光寿命的方法,其特征在于该测量发光寿命的步骤如下:①用频率能够调节的正弦交流电激发样品;②正弦交流电的频率变化范围:20Hz-200000Hz;③在相同电压、不同频率下,测量样品的发光光谱;④根据样品在不同频率时的发光强度的相对数值,绘制发光强度与激发频率的关系图,找出发光强度达到稳态值时的频率fm;⑤fm即发光中心的寿命τ。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京交通大学,未经北京交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510011869.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top