[发明专利]低压低功耗高隔离度差分放大器无效
| 申请号： | 200510011927.6 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1697312A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 宋睿丰;廖怀林;张国艳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾电流源，本发明增加了两个与共源输入MOSFET完全相同的MOSFET，其中一个MOSFET的栅端与输入正信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入负信号的共源MOSFET漏端相连(负输出端)，另一个MOSFET的栅端与输入负信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入正信号的共源MOSFET漏端相连(正输出端)。由于充分利用了深亚微米MOSFET器件工作在饱和区和工作在截止区时器件的栅漏电容相同的特点，本发明具有低压低功耗、高反向隔离度。 | ||
| 搜索关键词： | 压低 功耗 隔离 差分放大器 | ||
【主权项】：
1、一种低压低功耗高隔离度差分放大器，差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾电流源，其特征在于：增加两个与共源输入MOSFET完全相同的MOSFET，其中一个MOSFET的栅端与输入正信号的共源MOSFET的栅端相连，该MOSFET的漏端与输入负信号的共源MOSFET漏端相连，另一个MOSFET的栅端与输入负信号的共源MOSFET的栅端相连，该MOSFET的漏端与输入正信号的的共源MOSFET漏端相连。
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