[发明专利]一种碳化锡钛陶瓷粉体的常压合成方法无效
| 申请号： | 200510011931.2 | 申请日： | 2005-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1724467A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李世波;翟洪祥;贝国平;周洋;张志力 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
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| 地址： | 100044北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳化锡钛陶瓷粉体的常压合成方法，以Ti、Sn和TiC粉为原料，按Ti∶Sn∶TiC＝1∶(0.6～1)∶(0.7～1)的摩尔比配料，在球磨机上混料5～10小时后，将混合料在10～100MPa压力下压制成块，置于高温炉中。在真空或氩气保护气氛，以10～40℃/min的升温速率将炉温升至1050～1250℃，保温时间5～60min，即得高纯度Ti2SnC粉体。该方法具有：所用设备简单，合成Ti2SnC时间短，纯度高，无TiC等杂质相存在，适用于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化 陶瓷 常压 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化锡钛陶瓷粉体的常压合成方法，其特征在于：(1)以Ti、Sn和TiC粉为原料，按Ti∶Sn∶TiC＝1∶(0.6～1)∶(0.7～1)的摩尔比配料；(2)将上述配料放入塑料瓶中，以玛瑙球为研磨介质，在球磨机上干混5～10小时；(3)将上述混料在10～100MPa压力下压制成块；(4)将上述压块置于高温炉中，真空或氩气保护气氛，以10～40℃/min的升温速率将炉温升至1050～1250℃，保温时间为5～60min；得到高纯度Ti2SnC陶瓷粉体。
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