[发明专利]单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法

摘要

一种单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法，包括：1.在单晶硅基片上双面生长氮化硅薄膜；2.用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀氮化硅；3.在正面甩正性光刻胶；4.在背面甩正性光刻胶，光学光刻背面窗口图形；5.各向异性刻蚀有光刻图形面；6.去除光刻胶；7.在正面甩正性光刻胶，光学光刻正面氮化硅梁图形；8.在有光刻图形的一面蒸发、剥离铬薄膜；9.各向异性刻蚀有铬薄膜覆盖的氮化硅；10.各向同性腐蚀去除铬薄膜；11.在有氮化硅梁图形的正面甩正性光刻胶，光学光刻正面隔离金图形；12.蒸发、剥离金；13.用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀基片，完成镂空的双材料微悬臂梁热隔离结构焦平面阵列的制作。

主权项

1、一种单层双材料微悬臂梁热隔离焦平面阵列的制作方法，用硅微机械加工技术制作，为镂空的单层双材料微悬臂梁热隔离结构；其特征在于，步骤如下：步骤1、在单晶硅基片上双面生长富硅型氮化硅薄膜；步骤2、用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀氮化硅二小时以上；步骤3、在正面甩正性光学光刻胶做保护；步骤4、在背面甩正性光学光刻胶，光学光刻背面窗口图形；步骤5、各向异性刻蚀有光刻图形的背面，刻蚀深度等于此面氮化硅的厚度；步骤6、去除光学光刻胶；步骤7、在没有图形的正面甩正性光学光刻胶，光学光刻正面氮化硅梁图形；步骤8、在有光刻图形的正面蒸发、剥离铬薄膜；步骤9、各向异性刻蚀有铬薄膜覆盖的氮化硅，刻蚀深度等于此面氮化硅的厚度；步骤10、去除铬薄膜；步骤11、在有氮化硅梁图形的正面甩正性光学光刻胶，光学光刻正面隔离金图形；步骤12、蒸发、剥离金；步骤13、用加热的氢氧化钾溶液各向异性腐蚀此基片，到背面窗口图形以内的硅全部腐蚀完毕，完成镂空的双材料微悬臂梁热隔离结构焦平面阵列的制作。