[发明专利]一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法无效
| 申请号： | 200510011990.X | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1885521A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 涂德钰;王从舜;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下：1.在基片表面上淀积氮化硅薄膜；2.在氮化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到电极图形；3.利用抗蚀剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；4.蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；5.生长牺牲层材料；6.化学机械抛光牺牲层材料至氮化硅薄膜表面；7.旋涂抗蚀剂，光刻得到上电极图形；8.蒸发、剥离金属得到上电极；9.牺牲层释放；10.液相法生长有机分子材料；11.刻蚀，完成交叉线有机分子器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交叉 阵列 结构 有机 分子 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其结构的形成是由两次光刻、一次等离子体刻蚀、一次化学机械抛光获得的交叉线阵列结构，再在此基础上生长有机材料，然后用氧等离子体清洗，获得交叉线有机分子器件；其特征在于，步骤如下：步骤1、在基片表面上淀积氮化硅薄膜；步骤2、在氮化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到电极图形；步骤3、利用抗蚀剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；步骤4、蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；步骤5、制备牺牲层材料；步骤6、使基片平坦化，加工牺牲层材料至氮化硅薄膜表面；步骤7、旋涂抗蚀剂，光刻得到上电极图形；步骤8、蒸发、剥离金属得到上电极；步骤9、牺牲层释放；步骤10、液相法生长有机分子材料；步骤11、刻蚀有机材料，完成交叉线有机分子器件的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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