[发明专利]面积为平方厘米量级的单晶银纳米线阵列制备方法无效
| 申请号： | 200510012006.1 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1709790A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 孙家林;张建红;曹阳;姚海飞;刘伟;孙红三;郭继华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C30B29/02;C30B29/60 |
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| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备面积为平方厘米量级的单晶银纳米线阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法以玻璃为基底，首先在玻璃基底两端同时沉积两片Ag膜作为阴极和阳极，其Ag膜厚度为微米量级，再沉积RbAg4I5银离子导电膜，使得银离子导电膜覆盖阴极和阳极以及它们之间的空隙；然后在阴极和阳极之间施加恒定电流，使通过银离子导电膜的离子流密度为恒定值。该方法可制备出面积为平方厘米尺度的银纳米线阵列，所得的纳米线排列方向十分规则，晶体结构为面心立方结构；具有方法操作简单，条件容易控制，易从基底上剥离等特点。所制备的银纳米线阵列可作为器件直接应用于光学和电子学等领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 面积 平方厘米 量级 单晶银 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种面积为平方厘米量级的单晶银纳米线阵列制备方法，其特征在于该方法按如下步骤进行：(1)以玻璃为基底，在其两端同时沉积厚度为微米量级的Ag膜分别作为阴极和阳极；(2)然后再沉积RbAg4I5银离子导电膜，使得RbAg4I5银离子导电膜覆盖阴极和阳极以及它们之间的空隙；(3)将阴极和阳极分别与直流恒流电源的负极和正极相连接，在真空状态下，对阴极和阳极之间施加恒定电流，使通过银离子导电膜的离子流密度为恒定值，其值控制在60～80毫安/平方厘米之间，通电时间至少为50小时，阴极和阳极之间的距离至少为1厘米。
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