[发明专利]一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法无效
| 申请号： | 200510012104.5 | 申请日： | 2005-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1892985A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 冉军学;王晓亮;李建平;胡国新;王军喜;王翠梅;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及III－氮化物半导体材料技术领域，特别是一种可以减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法。采用提前关闭Cp2Mg源并低温生长覆盖层的方法，有效减小Mg在pn结结面的记忆效应，其主要特征是在生长Mg掺杂p型GaN层时，提前适当时间关闭Cp2Mg源，其它生长参数不变，这样可以将Mg记忆效应造成的表面富Mg层控制在p型层中；然后再在低温下生长一薄层GaN，可以抑制Mg原子从富Mg层中逸出而进入n型层中，从而增加pn结的p型掺杂结面陡峭性，提高pn结性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 mg 记忆 效应 gan pn 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可以减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法，其主要特征是，在生长Mg掺杂p型GaN层时，提前适当时间关闭Cp2Mg源，并在p型层上低温生长一薄层GaN，然后再生长n型层，从而可以有效减小Mg记忆效应对pn造成的不良影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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