[发明专利]纵向量子点－浮栅尖端结构、制备方法和存储器无效
| 申请号： | 200510012184.4 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1710722A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 邓宁;潘立阳;刘志弘;陈培毅;魏榕山 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
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| 地址： | 100084北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 纵向量子点－浮栅尖端结构、制备方法和存储器属于存储器设计技术领域。该结构特征是，在衬底上方还有一层SiGe量子点，多晶硅浮栅的下部为尖端结构。多晶硅浮栅下部的尖端与SiGe量子点的顶端是自对准的。该结构的制备方法包含：在Si衬底上制备SiGe量子点；在SiGe量子点上外延生长硅薄膜；干氧氧化，在量子点正上方形成与量子点纵向自对准的凹坑；在氧化层上淀积多晶硅浮栅，形成与SiGe量子点自对准的浮栅尖端结构。本发明还提出了采用了该结构的存储器。在施加相同电压时，该机构能提高隧穿电流密度。应用于半导体非挥发存储器，可在不减小氧化层厚度时降低工作电压，从而降低隧穿氧化层的平均电场，提高了存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 量子 尖端 结构 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
1、纵向量子点-浮栅尖端结构，含有：P-Si衬底；隧穿氧化层，位于P-Si衬底上方；多晶硅浮栅，位于隧穿氧化层上方；其特征在于，在所述P-Si衬底上方还有一层SiGe量子点，所述多晶硅浮栅的下部为尖端结构。
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