[发明专利]基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法

摘要

基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，涉及微电子技术领域，其工艺步骤如下：1.在<100>硅基片上光刻，刻蚀硅衬底形成腔体，去胶；2.表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；3.光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜，形成腔体侧壁和空支撑柱体，去铬，清洗处理表面；4.表面淀积氮化硅薄膜；5.表面淀积铬薄膜，光刻，打底胶，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；6.腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔；7.表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽；8.表面淀积多晶硅薄膜，进行硼掺杂，光刻，刻蚀多晶硅薄膜，清洗处理表面；9.光刻，蒸金，剥离，形成布线图形。

主权项

1、一种基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，其特征在于，其绝缘空腔的形成及释放是由硅衬底在胶掩蔽下被干法各向同性刻蚀出腔体，然后在其表面用低压化学气相沉积方法淀积二氧化硅薄膜牺牲层，刻蚀二氧化硅薄膜，形成腔体侧壁和空支撑柱体，再在表面用低压化学气相沉积方法淀积氮化硅薄膜，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽，湿法腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔，再在表面用低压化学气相沉积方法淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽，从而形成绝缘空腔，最后在空腔氮化硅薄膜上制作硼掺杂多晶硅薄膜电阻和金属布线；步骤如下：步骤1、在<100>硅基片上光刻，刻蚀硅衬底形成腔体，去胶；步骤2、表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；步骤3、光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜，形成腔体侧壁和空支撑柱体，去铬，清洗处理表面；步骤4、表面淀积氮化硅薄膜；步骤5、表面淀积铬薄膜，光刻，打底胶，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；步骤6、腐蚀二氧化硅薄膜牺牲层，释放氮化硅薄膜形成空腔；步骤7、表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽；步骤8、表面淀积多晶硅薄膜，进行硼掺杂，光刻，刻蚀多晶硅薄膜，清洗处理表面；步骤9、光刻，蒸金，剥离，形成布线图形。