[发明专利]用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法无效
| 申请号： | 200510012265.4 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1905297A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 赵谦;潘教青;张靖;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H04B10/02;H04J14/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法，包括如下步骤：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上采用在一次选择区域外延生长法制作多量子阱有源区；在多量子阱有源区的上面，靠近有源区的一端的三分之一制作光栅；在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层；在光限制层生长电接触层；在电接触层上制作P面电极；采用湿法化学腐蚀法在P面电极上纵向腐蚀出两条电隔离沟，该两条电隔离沟的中间为第一电吸收调制器、一侧为第二电吸收调制器、另一侧为分布反馈激光器；在整个管芯的底部蒸镀N面电极；在整个管芯的一端蒸镀抗反射膜，另一端蒸镀高反射膜，完成管芯的制作；将上述管芯烧结在一铜质热沉上，完成整个器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 时分 系统 单片 集成 发射器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选择一磷化铟衬底；(2)在磷化铟衬底上采用在一次选择区域外延生长法制作多量子阱有源区；(3)在多量子阱有源区的上面，靠近有源区的一端的三分之一制作光栅；(4)在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层；(5)在光限制层生长电接触层；(6)在电接触层上制作P面电极；(7)采用湿法化学腐蚀法在P面电极上纵向腐蚀出两条电隔离沟，该两条电隔离沟的中间为第一电吸收调制器、一侧为第二电吸收调制器、另一侧为分布反馈激光器；(8)在整个管芯的底部蒸镀N面电极；(9)在整个管芯的一端蒸镀抗反射膜，另一端蒸镀高反射膜，完成管芯的制作；(10)将上述管芯烧结在一铜质热沉上，完成整个器件的制作。
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