[发明专利]一种利用复合助熔剂生长锆钛锡酸铅镧单晶的方法

摘要

一种利用复合助熔剂生长锆钛锡酸铅镧单晶的方法，该方法首先按照Pb_1－xLa_x(Zr_yTi_zSn_1－y－z)O₃ (0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1)化学式确定x，y，z值后，按一定比例将锆钛锡酸铅镧原料与PbO+PbF₂+B₂O₃复合助熔剂均匀混合后装入耐高温的密封容器中，然后将它们一并装入晶体生长系统中；通过控制晶体生长的工艺条件，可以生长出结晶完整的锆钛锡酸铅镧单晶。本发明采用密封体系能有效地抑制PbO组分挥发，方便地优化生长工艺参数，控制结晶速率和晶体中缺陷的大小、形状和数量。

主权项

1、一种利用复合助熔剂生长锆钛锡酸铅镧单晶的方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：1)将化学式为Pb1-xLax(ZryTizSn1-y-z)O3，其中：0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1的锆钛锡酸铅镧固态多晶物质与PbO+PbF2+B2O3组成的复合助熔剂按重量比为1∶1～10均匀混合，装入耐高温的密封容器中，然后将它们一并装入晶体生长系统中；所述的复合助熔剂中三种物质的重量百分比含量均为1～50％；2)将混匀后的原料以200～300℃/h的升温速率由室温升高800～1000℃；3)继续以100～150℃/h的升温速率将温度升至1150～1250℃，在此温度区间恒温1～10小时；4)以0.5～5℃/h的降温速率将温度由1150～1250℃降至700～1100℃；5)以50～100℃/h的降温速率将温度由700～1100℃降至室温，即获得所述的锆钛锡酸铅镧单晶。