[发明专利]半导体电子致冷装置专用蒸发腔及其制备方法

摘要

本发明属于半导体电子致冷及传热领域，特别是指一种与半导体电子致冷装置配套使用的蒸发腔及其制备方法。包括与热管两端连通的密闭蒸发腔，蒸发腔为一内部开设有闭合管道或毛细微隙的实体结构，闭合管道或毛细微隙上开设有开口，该开口与热管在蒸发腔表面的开口连通。蒸发腔的制作材料选用高导热系数的有色金属，选用挤出、压铸、机加、浇铸工艺成型。本发明解决了现有技术存在的蒸发腔的结构强度差，使蒸发腔的贴合面在工作压力较大的情况下易变形，进而增加贴合面的接触热阻导致传热效率低；制作工艺复杂，传热效率低，密封性差等技术缺陷，具有蒸发腔整体结构强度高，不易变形，制造成本低；导热面积大，产品密封性好，性能稳定等优点。

主权项

1、半导体电子致冷装置专用蒸发腔，包括与热管(1)两端连通的密闭蒸发腔(3)，其特征在于所述的蒸发腔(3)为一内部开设有闭合管道(2)或毛细微隙的实体结构，闭合管道(2)或毛细微隙上开设有开口，该开口与热管(1)在蒸发腔(3)表面的开口连通。