[发明专利]半导体激光器直接倍频产生短波长激光器装置

摘要

一种半导体激光器直接倍频产生短波长激光器装置，属于激光技术和信息领域。其特征在于：作为基频光源的半导体激光器输出端面镀基频光增透膜；采用外部光反馈器件对半导体激光器提供光反馈，在光反馈器件和半导体激光器之间获得窄线宽、高功率密度、稳定往返振荡的基频光；倍频晶体处于光反馈器件和半导体激光器之间，实现对半导体激光器直接倍频产生短波长激光输出。本发明无需腔内倍频时必须的激光介质晶体，具有效率高、输出稳定、结构简单、体积小、成本低廉等优点。

主权项

1、本发明半导体激光器直接倍频产生短波长激光器装置，其特征在于：由作为基频光光源的半导体激光器(1)、倍频晶体(2)、光反馈器件(3)和输出准直系统(4)组成，半导体激光器(1)采用普通商业半导体激光器，在半导体激光器(1)的输出光路上设置对半导体激光器(1)提供适当的光反馈，以获得窄线宽的基频光输出的光反馈器件(3)，在半导体激光器(1)的输出端面镀可以使基频光在光反馈器件(3)和半导体激光器(1)之间形成高功率密度且稳定往返振荡的基频光增透膜(5)，在靠近半导体激光器(1)的倍频晶体(2)端面同时镀基频光增透膜(6)和倍频光全反膜(7)，光反馈器件(3)由直接镀在倍频晶体(2)另一端面上的基频光反射膜(8)构成，或由镀基频光高反膜的平面反射镜(10)构成，倍频晶体(2)位于半导体激光器(1)和光反馈器件(3)之间，准直系统(4)由透镜组成。