[发明专利]硅薄膜太阳电池用P型窗口层及其制备方法

摘要

本发明涉及硅薄膜太阳电池的窗口层，特别是p型窗口层的结构和制备技术，属于新能源中薄膜太阳电池的技术领域。硅薄膜太阳电池用p型窗口层，由透明衬底、透明导电薄膜、p型窗口层等组成，其特点在于：P层分为P₁和P₂两层，P₁层是具有高晶化率宽带隙纳米硅的薄膜，厚度比P₂层要薄一个数量级。在设计p型窗口层时，采用双层p型掺杂层结构。调控两层的晶化率、掺杂浓度与厚度，来达到晶化和掺杂效果分别完成、最终合成一致达到高电导、高晶化率同时得以满足的效果，为随后微晶硅有源层的生长提供良好晶化基础，并以高电导的p型掺杂提供高开路电压和低的串联电阻，从而在保证稳定性基础上提高电池效率，有利展示薄膜电池低成本的优势。

主权项

1.一种硅薄膜太阳电池用p型窗口层，由透明衬底(G)、透明导电薄膜(T)、p型窗口层(P)、本征有源区(I)、N+区(N)、背电极(M)组成，其特征在于：P层分为P1 和P2两层，P1层是具有高晶化率宽带隙纳米硅的薄膜，厚度比P2层要薄一个数量级；P2 层是厚度为10nm-40nm的高电导率的宽带隙p型微晶硅材料。