[发明专利]用于制备聚偏氟乙烯复合膜的原料纳米SiO2的修饰方法无效
| 申请号： | 200510014454.5 | 申请日： | 2005-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1709951A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张裕卿;曲云 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08K3/36 | 分类号： | C08K3/36;C08K9/06;C09C3/12 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 任延 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制备聚偏氟乙烯复合膜的纳米SiO2的修饰方法，属于制备复合膜的原料的制备技术。该方法包括以下具体步骤：将硅烷溶于丙酮或甲苯中，配成硅烷溶液，于超声波中分散后向其中加入冰醋酸于搅拌下调节pH值，反应1～3h后再加入氨水调节pH，加入SiO2纳米粒子，控制SiO2与硅烷的质量比，升温进行偶联反应，将所得产物于真空干燥箱中80℃干燥6～10h，制得用于制备聚偏氟乙烯复合膜的纳米SiO2。本发明的优点在于针对聚偏氟乙烯膜的结构及性能特点制备出硅烷包覆的SiO2纳米粒子，该粒子不易团聚，可在聚合物中分散均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 聚偏氟 乙烯 复合 原料 纳米 sio sub 修饰 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备聚偏氟乙烯复合膜的纳米SiO2的修饰方法，其特征在于包括以下具体步骤：1)将硅烷溶于丙酮或甲苯中，配成质量浓度为5％～20％的硅烷溶液，于超声波中30℃～50℃分散10～30min；2)向步骤1)配制的硅烷溶液中加入冰醋酸于30℃～40℃搅拌下调节pH值至3～4，反应1～3h；3)向步骤2)所得溶液中加入氨水调节pH至10～12，加入粒径为10～30nmSiO2纳米粒子，控制SiO2与硅烷的质量比为25～10∶1，升温至100℃进行偶联反应1～3h；4)将步骤3)所得产物于真空干燥箱中80℃干燥6～10h，制得用于制备聚偏氟乙烯复合膜的纳米SiO2。
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