[发明专利]环氧树脂表面化学制备导电聚吡咯薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种环氧树脂表面化学制备导电聚吡咯薄膜的方法，属于在环氧树脂表面制备导电聚吡咯薄膜的技术。该方法过程包括：将包括酚醛环氧树脂、双酚A环氧树脂、脂肪族环氧树脂或脂环族环氧树脂先放入混合碱溶液中除油，再放入混合强酸液中对其表面进行粗化，干燥后浸泡在硅烷偶联剂溶液中进行改性，将经过表面改性的环氧树脂先浸入配制好的吡咯单体溶液中，再浸入氧化剂水溶液中，并重复进行聚合反应，得到附着在环氧树脂表面的聚吡咯薄膜。本发明的优点在于：制备方法简单，成本低廉，采用了一种有效的表面处理和表面改性的工艺，提高了导电聚吡咯薄膜在环氧树脂表面的附着力，形成的聚吡咯薄膜连续均匀，电导率达到5～10S/cm。

主权项

1.一种环氧树脂表面化学制备导电聚吡咯薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将包括酚醛环氧树脂、双酚A环氧树脂、脂肪族环氧树脂或脂环族环氧树脂放入混合碱溶液中，所述的混合碱溶液为由1000mL去离子水中溶解40～100g的NaOH，20～50g的Na3PO4和10～30g的Na2CO3配制而成，在40～90℃温度下除油；2)将除油后的环氧树脂放入由150～300g的铬酐，150～250mL98％浓硫酸和1000mL去离子水配制而成的混合强酸液中，在40～90℃温度下进行粗化，然后先用稀碱中和，再用去离子水洗涤至中性；3)经步骤2)处理过的环氧树脂放入硅烷偶联剂溶液中，在15～30℃温度下对环氧树脂表面进行改性，所述的硅烷偶联剂溶液为将乙烯基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、γ-硫丙基三乙氧基硅烷溶解于去离子水溶液中，配制成质量分数为0.5％～5％的水溶液；或为γ-氨丙基三乙氧基硅烷溶解于由质量分数为95％的乙醇和质量分数为5％的去离子水配制成的醇-水溶液中，配制浓度为0.5％～4％；或为甲基丙稀酰氧丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷加入到乙醇或丙酮中，配制成质量分数为0.2％～5％的有机溶液；4)将吡咯单体与无水乙醇配制成体积百分比浓度为20％～70％的吡咯单体溶液；将氧化剂三氯化铁、硝酸铁、氯化铜、硝酸银、过硫酸铵或过氧化氢与去离子水配制成质量百分比浓度为6％～30％的氧化剂水溶液；5)0～80℃温度下将步骤3)处理好的环氧树脂浸入步骤4)所配制的吡咯单体溶液中1～30分钟，再浸入步骤4)所配制氧化剂水溶液中3分钟～24小时，并重复进行将环氧树脂浸入吡咯单体溶液和氧化剂水溶液中的操作达2～4遍，之后，在10～70℃温度下干燥，即可得到附着在环氧树脂表面的聚吡咯薄膜。