[发明专利]制备氧化锌一维纳米棒晶薄膜的方法无效
| 申请号： | 200510014993.9 | 申请日： | 2005-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1749443A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 靳正国;赵娟;刘晓新 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D9/06 | 分类号： | C25D9/06;C25D7/12;C01G9/02;C30B30/02;H01L21/36 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备一维ZnO纳米棒晶薄膜的电场辅助的方法，步骤依次为：将Zn(NO3)2·6H2O与NaOH溶解于水中，搅拌均匀；置于30～90℃的水浴中；用三电极化学沉积系统进行恒电位沉积，以涂覆ZnO溶胶作为种底的导电玻璃为阳极，铂片为对电极，饱和Ag/AgCl电极(vsAg/AgClsat)为参比电极，在500－1300mV的外加电压下沉积；将衬底取出，清洗后，于烘箱中干燥，获得ZnO一维纳米棒晶薄膜材料。本发明通过施加并调节外电场的大小，有效控制了ZnO的生长形态，提高了生长速度；本发明广泛应用在发光二极管、光探测器、光敏二极管、气敏传感器、太阳能电池等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化锌 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备ZnO一维纳米棒晶薄膜的方法，包括如下步骤：(1)在搅拌条件下，将Zn(NO3)2·6H2O与NaOH溶解于水中；(2)将搅拌均匀的透明溶液置于30～90℃的水浴中；(3)用三电极化学沉积系统进行恒电位沉积，以涂覆ZnO溶胶作为种底的导电玻璃为阳极，铂片为对电极，饱和Ag/AgCl电极(vs Ag/AgClsat)为参比电极，在500-1300mV的外加电压下沉积；(4)将衬底取出，用去离子水清洗后，于烘箱中干燥，获得ZnO一维纳米棒晶薄膜材料。
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