[发明专利]磁场直拉硅单晶的制备方法无效
| 申请号： | 200510015279.1 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1763265A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 沈浩平;胡元庆;汪雨田;刘为钢;李翔;刘宇;李海静;周建华 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300161天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅单晶的制备方法，特别涉及一种用于半导体器件的磁场直拉硅单晶的制备方法。该方法包括有打开电磁场及拉细颈工艺流程，其操作步骤如下：当多晶料完全熔化之后，即顺时针旋转手柄，使电磁场机构复位，然后闭合电源开关；按下磁场控制器按钮，启动磁场，首先双手分别同步顺时针旋转加载电流旋钮，缓慢地将电流加至35A；当磁场强度大于1200GS时，将埚转调至1－8转/分，再开动籽晶旋转机构，使晶转为12－16转/分，然后调整坩埚位置；在拉细颈时，先将籽晶行程调至零位，然后旋转晶升电位器，逐步提高拉速至16英寸/小时。采用该方法制备的硅单晶解决了电阻率径向分布不均匀、容易产生漩涡缺陷和氧含量高等技术问题，从而提高了产品质量，满足了市场需求。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 直拉硅单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁场直拉硅单晶的制备方法，其特征在于：在磁场直拉硅单晶的制备过程中，包括有打开电磁场及拉细颈工艺流程，其操作步骤如下：当多晶料完全熔化之后，即顺时针旋转手柄，使电磁场机构复位，然后闭合电源开关；按下磁场控制器按钮，启动磁场，首先双手分别同步顺时针旋转加载电流旋钮，缓慢地将电流加至35A；当磁场强度为大于1200GS时，将埚转调至1-8转/分，再开动籽晶旋转机构，使晶转为12-16转/分，然后调整坩埚位置；在拉细颈时，先将籽晶行程调至零位，然后旋转晶升电位器，逐步提高拉速至16英寸/小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司，未经天津市环欧半导体材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510015279.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：音频处理
- 下一篇：生物传感器、生物传感芯片以及生物传感装置
