[发明专利]专用于光学相干层析术的受激辐射光放大宽带光纤光源无效
申请号: | 200510015704.7 | 申请日: | 2005-10-27 |
公开(公告)号: | CN1758129A | 公开(公告)日: | 2006-04-12 |
发明(设计)人: | 周大川;梁艳梅;孟凡勇;朱晓农 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | G02F1/39 | 分类号: | G02F1/39;G02F1/365;G02B6/42 |
代理公司: | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 解松凡 |
地址: | 3000*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种专用于光学相干层析(OCT)成像的宽带光纤光源,特别是能产生单高斯峰光谱的光纤光源的设计和制作,属于光纤传感技术领域。该光源包括:980nm半导体泵浦激光二极管,1480nm半导体泵浦激光二极管,波分复用耦合器(WDM),光耦合器,铒掺杂光纤,光隔离器和光纤光栅等。其关键技术是在进入不同级的波分复用器前,选择合适分束比的光耦合器,并采用多级长周期光纤光栅对铒离子自发光谱进行调整,使输出的宽带光谱接近单高斯峰光谱;同时采用了光控和温控器来控制激光二极管的输出以提高功率的稳定性。该发明结构简单、成本廉价、操作方便、能在常温下稳定工作。 | ||
搜索关键词: | 专用 光学 相干 层析 辐射 放大 宽带 光纤 光源 | ||
【主权项】:
1.一种专用于光学相干层析术的受激辐射光放大宽带光纤光源,它包括:980nm半导体泵浦激光二极管LD(1)、1480nm半导体泵浦激光二极管LD(2)、两个光控器(3)和(4)、两个温控器(5)和(6)、两个光耦合器(7)和(8)、终端金属镀膜光纤(9)、波分复用耦合器WDM(11)和(13)、波分复用耦合器WDM(15)和(17)、掺铒光纤(10)(12)(14)和(16)、光隔离器(18)和光纤光栅(19);其特征在于:其中980nm半导体泵浦激光二极管(1)的输出接光耦合器(7)的端口(c);光耦合器(7)的端口(a)和(b)分别接WDM(11)和(13)的端口(b);WDM(11)端口(a)和WDM(13)的端口(c)之间接掺铒光纤(12);WDM(11)的端口(c)接掺铒光纤(10)的一端;掺铒光纤(10)的另一端接终端金属镀膜光纤(9);WDM(13)的端口(a)接掺铒光纤(14)的一端;掺铒光纤(14)的另一端接WDM(15)的端口(c);1480nm半导体泵浦激光二极管(2)的输出接光耦合器(8)的端口(c);光耦合器(8)的端口(a)和(b)分别接WDM(15)和(17)的端口(b);WDM(15)的端口(a)和(17)的端口(c)之间接掺铒光纤(16);WDM(17)的端口(a)接光隔离器(18)的一端;光隔离器(18)的另一端与光纤光栅(19)相连接。
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