[发明专利]半导体影像感测组件的封装方法无效

专利信息
申请号: 200510016295.2 申请日: 2005-03-11
公开(公告)号: CN1684268A 公开(公告)日: 2005-10-19
发明(设计)人: 邹庆福;黄裕盛 申请(专利权)人: 邹庆福;黄裕盛
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/50;H01L21/00
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 代理人: 胡畹华
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体影像感测组件的封装方法,其是以单晶硅芯片为制程基材,利用蚀刻方式将基材部分蚀穿,而在基材上半部形成一容置部,并于基材下半部形成数个穿孔,之后在基材表面形成电性绝缘层,再将锡球加温加压使其填满并固定于各穿孔,而后将影像感测芯片装置于容置部,并于影像感测芯片与各穿孔的锡球间打线,以完成电性连接,最后以透明板封合容置部,即完成封装工作。本发明可有效降低影像感测组件封装后的体积,且单晶硅的基材有利于提升散热效果。
搜索关键词: 半导体 影像 组件 封装 方法
【主权项】:
1.一种半导体影像感测组件的封装方法,其特征在于,包括下列步骤:a.备料:选用单晶硅芯片为制程基材;b.形成保护层:将基材置于炉管内,在基材的两面形成一保护层;c.定义蚀刻孔:利用微影制程分别于基材的两面,以蚀刻方式将部分保护层去除,使欲蚀刻的基材表面区域裸露;d.蚀刻:利用非等向性湿蚀刻方式,对基材两面不具保护层的部分进行蚀刻,将基材部分蚀穿,而在基材上半部形成一容置部,并于基材下半部形成数个穿孔;e.形成电性绝缘层:将完成蚀刻步骤的基材置于炉管内,而在容置部及各穿孔周面形成电性绝缘层;f.填满穿孔:将锡球逐一植入各穿孔,利用直接加温加压的方式,使锡球软化后填满并固定于各穿孔;g.装置影像感测芯片:将影像感测芯片装置于容置部,且位于各穿孔之间,并于影像感测芯片与各穿孔的锡球间打线,以完成电性连接;h.封盖:以一透明板结合于基材顶面的保护层,而将影像感测芯片封装于容置部中。
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