[发明专利]一种介孔二氧化硅材料的制备方法无效
| 申请号： | 200510016313.7 | 申请日： | 2005-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1792787A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 陈铁红;肖强;孙平川;李宝会;丁大同 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;C01B33/18 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 赵尊生 |
| 地址： | 300071天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及介孔二氧化硅的制备方法，它是以硅、氧为基本组分，具有六方介孔结构，孔壁厚度1～4nm，其红外谱图显示在800cm－1附近有吸收峰和在1240cm－1和1080cm－1有吸收峰，归属于介孔二氧化硅材料的特征吸收峰；氮气吸附等温线为IV型曲线，比表面积为700～1200m2/g，最可几孔径为2～4nm。用有机硅氧烷为硅源，EDTA－Na2为有机硅氧烷的水解缩合催化剂，在室温和pH接近中性的仿生条件下合成。其中的模板剂很容易通过乙醇萃取的方式去除，达到经济回收的目的。该方法的仿生合成特性，使得其在生物大分子的原位包敷、酶的原位固载等领域内有着重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种介孔二氧化硅材料的制备方法，它是以阳离子表面活性剂为结构导向剂，使用有机硅氧烷硅酸酯为硅源，其特征在于：它是以硅、氧为基本组分，具有六方介孔结构，孔壁厚度1～4nm，其红外谱图显示在800cm-1附近有吸收峰和在1240cm-1和1080cm-1有吸收峰，归属于介孔二氧化硅材料的特征吸收峰；氮气吸附等温线为IV型曲线，比表面积为700～1200m2/g，最可几孔径为2～4nm；其制备方法经过下述步骤：1)将计量的阳离子表面活性剂溶解到去离子水中，然后加入计量的乙二胺四乙酸二钠盐(EDTA)，待溶解后加入计量的硅源硅酸酯在pH接近中性水解缩合，混合物室温搅拌下反应3天后抽滤，洗涤，干燥后得到白色产品；2)白色产品烘干后于540℃焙烧6小时。
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