[发明专利]电致发光多孔硅材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200510016317.5 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1805160A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杜希文;鲁颖炜;孙景;李竞强 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H05B33/14;H05B33/10;C09K11/59 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 任延 |
| 地址： | 3000*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电致发光多孔硅及其制备方法，属于电致发光多孔硅材料技术。所述的电致发光多孔硅材料由硅基底层，在硅基底层一侧的上方为多孔硅层，多孔硅层之上为平均直径为200－500纳米、长度为2－10微米的硅线层构成。其制备方法过程包括将经过清洗的硅片置入由氢氟酸和硝酸银的水溶液中进行化学刻蚀，刻蚀后的硅片再置于氢氟酸、乙醇的水溶液中进行电化学刻蚀制得电致发光多孔硅材料。本发明的优点在于制备过程简单，所制得的电致发光多孔硅材料在多孔硅层上部形成硅线层，从而具有较现有电致发光多孔硅更高效的发光能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电致发光 多孔 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电致发光多孔硅材料，其特征在于由硅基底层，在硅基底层一侧的上方为多孔硅层，多孔硅层之上为平均直径为200-500纳米、长度为2-10微米的硅线层构成。
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