[发明专利]半导体激光线阵及迭阵条双面烧结方法及装置

摘要

本发明涉及半导体激光线阵和迭阵双面烧结方法及装置。需要在密封箱内进行，加热和降温中密封箱内充氢氮混合气，在氢氮气保护下进行；用吸针将第一、第二块热沉和N个Bar条吸到热沉滑动加热器上固定，对第一和第二块热沉加热至150℃－200℃后停止加热，然后降温完成N个Bar条的烧结。装置包括活动架1、底座2、纵向调节钮3、导轨4、显微镜底座5、固定钮6、显微镜架7、氢氮气入口8、显微镜升降调节钮9、密封箱10、显微镜11、真空吸针12、Bar条烧结装置13、氢氮气出口14。本发明采用双面烧结属于面接触式，可一次性完成多个Bar条及上下电极的烧结，提高了Bar条烧结质量、成品率和生产效率，有效降低Bar条热阻。工艺简单实用、制作成本低、生产效率高。

主权项

1、半导体激光线阵及迭阵条双面烧结方法，需要在密封箱内进行，在加热和降温过程中密封箱内要充氢氮混合气，在氢氮气保护下进行；其特征在于包括以下步骤：1)用第一吸针将第一块热沉吸到热沉滑动加热器的端部上，第一吸针离开第一块热沉；2)用第二吸针分别将N个Bar条吸到热沉滑动加热器上，使每个Bar条的底部与热沉滑动加热器上表面接触，并使第一个Bar条的侧面靠近步骤1)中的第一块热沉，第二吸针离开Bar条；3)用第一吸针将第二块热沉吸到热沉滑动加热器上，并使第N个Bar条的侧面靠近第二块热沉，第一吸针离开第二块热沉；4)用Bar条烧结装置将步骤1)、2)、3)中第一块热沉、第二块热沉和Bar条固定；5)对第一块热沉、第二块热沉加热至150℃-200℃后停止加热，使第一块热沉、第二块热沉温度降到70℃-10℃，即完成N个Bar条的烧结。