[发明专利]常温下制备烷氧基镉的方法

摘要

本发明属于常温下制备烷氧基镉的技术领域，提供一种常温，且在氮气保护条件下制备烷氧基镉的方法。通过调节参加反应的醇的蒸气浓度来控制反应的速度，使反应体系内的温度和压力保持在一个安全可控的范围内，从而保证整个反应的安全和可控，同时也能够保证最终的反应完全和反应产物的单一，且易于纯化分离。本发明方法制备的烷氧基镉可作为制备II－VI化合物半导体材料及纳米半导体粒子的镉源。

主权项

1.一种烷氧基镉的合成方法，其特征是在温度5-30℃、氮气保护条件下，采用二甲基镉作为反应的镉源，采用的醇类为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇和叔丁醇，通过调节参加反应的醇类的蒸气浓度来控制反应时间和反应速度，保持醇的摩尔数是二甲基镉的摩尔数的2-3倍，反应生成的烷氧基镉固体析出在瓶壁上，用蒸馏过的正己烷溶液洗涤沉淀，用水泵抽净有机溶剂后，得到纯净的烷氧基镉白色固体粉末。