[发明专利]薄化表面等离子体共振金膜的方法无效

专利信息
申请号: 200510016724.6 申请日: 2005-04-18
公开(公告)号: CN1686651A 公开(公告)日: 2005-10-26
发明(设计)人: 董绍俊;王建龙 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: B23H3/00 分类号: B23H3/00
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人: 马守忠
地址: 130022吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于表面等离子体共振金基膜制备技术领域。本发明的方法主要是将具有较大厚度的表面等离子体共振金基膜在含有合适氯离子浓度的溶液中,在一定电压范围内进行电化学扫描。在每次扫描后记录表面等离子体共振曲线,根据表面等离子体共振曲线与金基膜厚度间的对应关系来确定金基膜厚度,结果证明,当表面等离子体共振金基膜厚度不超过95nm时,这种方法能够将金基膜厚度可控的薄化到适合于表面等离子体共振分析40-60nm的厚度。得到的表面等离子体共振金基膜适用于一般的表面等离子体共振金膜分析。
搜索关键词: 表面 等离子体 共振 方法
【主权项】:
1.一种薄化表面等离子体共振金膜的方法,其特征在于,将制备好的表面等离子体共振金基膜组装到电化学表面等离子体共振分析仪上,在纯水中记录表面等离子体共振角度曲线,并计算出金基膜的厚度;选取0.02-0.05M/L的KCl溶液作为电解液,然后以Ag/AgCl+作为参比电极,铂丝作为对电极,在0-1.5v的电压范围内,以0.04V/s的扫速进行电化学扫描;每次扫描后,水洗;然后,在0.1M/L的H2SO4,溶液中,在0-1.5V的电压范围内,以0.2V/S扫速进行电化学扫描用以除掉金基膜表面吸附的金的络合物;之后在水中进行表面等离子体共振扫描,纪录扫描曲线;重复执行前述的过程直到,获得厚度为40-60nm表面等离子体共振金基膜。
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