[发明专利]应用面探衍射仪检测异质外延膜晶格取向的方法无效
| 申请号： | 200510016732.0 | 申请日： | 2005-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1702848A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 高忠民;冯守华;侯长民;黄科科;李向山 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/20 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的应用面探衍射仪检测异质外延膜晶格取向的方法，属于X射线检测技术领域。本发明使用带有面探测器的X射线衍射仪，实现对大失配度异质外延膜的摇摆角Δω的检测；并给出检测另外一种晶格取向偏差，即旋转角ΔΦ的方法及其在n取向上的旋转角ΔΦn所占有的百分比Rn；用包括Δω、ΔΦ和Rn在内的一组数据来全面完整的表征大失配度异质外延膜的晶体取向。本发明对于所限定的大失配度异质外延膜的检测对象，检测成功率几乎可达100％，而检测时间约为双晶衍射仪完成同样工作的1％，可见应用面探衍射仪检测大失配度异质外延膜具有高效、快速、全面的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 衍射 检测 外延 晶格 取向 方法 | ||
【主权项】：
1、一种应用面探衍射仪检测异质外延膜晶格取向的方法，实现对异质外延膜摇摆角Δω校的检测，其特征在于：将待测薄膜放置在带有面探测器的X射线衍射仪的样品台上，摄影待测薄膜与薄膜衬底表面平行的晶面所得到的衍射弧，并制做该弧在沿弧长方向，即χ方向上的衍射强度分布曲线，度量该强度分布曲线的半高宽Δχ；按公式Δω＝2arcsin[cosθsin(Δχ/2)]计算测量摇摆角Δω；其中，θ为衍射角；按Δω校＝Δω-Δω标进行清除仪器因素校正，其中，Δω校为校正后的摇摆角，Δω标为与待测样品相同种类的外延膜经高温完全退火后测得的摇摆角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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