[发明专利]含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明属于有机薄膜晶体管技术领域，具体涉及含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管及其制作方法。本发明通过在源/漏电极和有机半导体层之间增加一层非反应活性的缓冲层，缓冲层是有机半导体材料，电导率在10^－6～10^－1Ω^－1cm^－1之间，该缓冲层的设计可以减小金属电极和有机半导体之间的接触势垒从而增加电荷的注入效率。缓冲层可以通过光刻剥离或掩模版或者刻蚀的方法放置在源/漏电极之下。在有源矩阵液晶显示装置、柔性集成电路和传感器等可以使用这一类薄膜晶体管器件。

主权项

1、一种含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管，其含有衬底(1)、栅电极(2)、栅绝缘层(3)、有机半导体层(4)、源电极(6)、漏电极(7)，其特征在于，源电极(6)和漏电极(7)与有机半导体层(4)之间含有非反应活性的缓冲层(5)；缓冲层(5)所采用的有机半导体是含有7，7’，8，8’-四氰基苯醌的电荷转移复合物，或者是稀土双酞菁化合物，或者是聚乙炔、聚苯胺、聚吡咯、聚噻酚、聚对苯撑中的至少一种有机半导体共混或共晶构成，电导率在10-6～10-1Ω-1cm-1之间。