[发明专利]光泵浦高功率垂直外腔面发射激光器无效

专利信息
申请号: 200510016969.9 申请日: 2005-07-14
公开(公告)号: CN1710763A 公开(公告)日: 2005-12-21
发明(设计)人: 路国光;单肖楠;何春凤;秦丽;宴长岭 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/14;H01S5/04
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人: 马守忠
地址: 130031吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于半导体激光技术领域,具体涉及光泵浦高功率垂直外腔面发射激光器,其构成包括:泵浦光源1、外延片2、热沉3、外腔镜4、倍频晶体5;外延片2包括窗口层6、保护层7、有源区8、多层布拉格反射镜11、衬底12;有源区8包括量子阱层9、吸收层10。特征在于量子阱层9中包含2-3个量子阱的光泵浦高功率垂直外腔面发射技术,从而提高了激光器的填充因子,降低阈值电流密度,提高外量子阱效率,因此提高了器件的输出功率。本发明得到一种线性极化的,圆形对称的,近于衍射极限的高功率激光输出。另外,本发明采取光泵的方式,工艺大大简化,减少了光刻,制作电极,镀膜等很多道程序,不但减少了成本,也大大提高了成品率。
搜索关键词: 光泵浦高 功率 垂直 外腔面 发射 激光器
【主权项】:
1、一种光泵浦高功率垂直外腔面发射激光器,包括:泵浦光源1、外延片2、热沉3、外腔镜4、倍频晶体5;其中外延片2包括窗口层6、保护层7、有源区8、多层布拉格反射镜11、衬底12;其中有源区8包括量子阱层9、吸收层10;其特征在于量子阱层9中的量子阱个数范围选择在2-3个。
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