[发明专利]一种获取可控硅过零同步信号及触发控制方法有效
| 申请号： | 200510018270.6 | 申请日： | 2005-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN100388625C | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 骆武宁 | 申请（专利权）人： | 南宁微控技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/13 | 分类号： | H03K17/13;H03K5/1536 |
| 代理公司： | 广西南宁明智专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 张智生 |
| 地址： | 530001广西壮族自*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获取可控硅过零同步信号及其触发控制方法，它包括利用正弦波获得正负梯形波和通过单片机系统取得正负梯形波上升和下降沿之间产生波形的中点，作为触发可控硅触发信号。该方法可使可控硅在过零点处触发导通，避免了导通瞬间的合闸电涌流的冲击，有效地保护了可控硅及其负载，特别是电容性负载，延长了它们的使用寿命，为用户节约了成本，提高也经济效益。适用于可控硅控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获取 可控硅 同步 信号 触发 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种获取可控硅过零同步信号及其触发控制方法，其特征在于该方法包括如下步骤：(1)将施加于可控硅两端电极上正弦波电压正、负半波分别整形为对应的梯形波；(2)设置一个将所得梯形波的上升沿和下降沿处理后，得出所述上升沿和下降沿之间所产生的波形宽度的单片机系统，或者把所得梯形波经与逻辑电路获得反映梯形波上升沿和下降沿之间宽度的方波后，再送到单片机系统进行分析运算，求出该方波的宽度；(3)单片机系统所求出波形宽的中点，即为可控硅过零同步信号的触发点；(4)用步骤(3)所获得的触发点向可控硅的控制极发出触发信号；(5)可控硅在电压过零处导通。
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