[发明专利]一种低温快速制备高纯六方氮化硼陶瓷材料的方法无效
| 申请号： | 200510019118.X | 申请日： | 2005-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1746134A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王为民;傅正义;王皓 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/5833 | 分类号： | C04B35/5833;C04B35/64 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化硼陶瓷材料的制备方法。一种低温快速制备高纯六方氮化硼陶瓷材料的方法，其特征在于：将纯度≥98％的六方氮化硼粉末干燥后，置于高强石墨模具中，室温下以30－40Mpa压强预压后，放入大电流高压快速烧结炉中，抽真空使真空度达5Pa后，充入流动氮气，氮气压力1.05－1.08大气压；以150－180度/分钟的速度升温到烧结温度进行烧结，烧结时间为20－30分钟，烧结温度：1650－1750℃，烧结压力：40－60Mpa；断电后随炉冷却到室温，可获得密度大于95％的高纯度六方氮化硼陶瓷材料。该方法烧结时间短、烧结温度低，工艺过程快，高密实度(密度大于95％)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 快速 制备 高纯 氮化 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温快速制备高纯六方氮化硼陶瓷材料的方法，其特征在于：将纯度≥98％的六方氮化硼粉末干燥后，置于高强石墨模具中，室温下以30-40Mpa压强预压后，放入大电流高压快速烧结炉中，抽真空使真空度达5Pa后，充入流动氮气，氮气压力1.05-1.08大气压；以150-180度/分钟的速度升温到烧结温度进行烧结，烧结时间为20-30分钟，烧结温度：1650-1750℃，烧结压力：40-60Mpa；断电后随炉冷却到室温，可获得密度大于95％的高纯度六方氮化硼陶瓷材料。
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