[发明专利]一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 200510019277.X | 申请日: | 2005-08-11 |
公开(公告)号: | CN1736950A | 公开(公告)日: | 2006-02-22 |
发明(设计)人: | 王皓;傅正义;王为民;王玉成;张金咏;张清杰 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430070湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法。一种半透明氮化硅陶瓷,其特征在于它由α-Si3N4粉、Al2O3粉和MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和原料制备而成;各原料所占质量百分比为:α-Si3N4粉82~95,Al2O3粉2~8,MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和2~10。当采用MgO粉和Y2O3粉时,Y2O3粉的加入质量大于0,且Y2O3粉的加入质量小于或等于MgO粉和Y2O3粉质量的50%。本发明制备方法得到的半透明氮化硅陶瓷最低相对密度大于97%,平均相对密度接近理论密度。晶粒均匀细小,以等轴α-Si3N4相为主,红外透过率为30%~45%。 | ||
搜索关键词: | 一种 半透明 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半透明氮化硅陶瓷,其特征在于它由α-Si3N4粉、Al2O3粉和MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和原料制备而成;各原料所占质量百分比为:α-Si3N4粉82~95,Al2O3粉2~8,MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和2~10。
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