[发明专利]一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510019277.X 申请日: 2005-08-11
公开(公告)号: CN1736950A 公开(公告)日: 2006-02-22
发明(设计)人: 王皓;傅正义;王为民;王玉成;张金咏;张清杰 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 唐万荣
地址: 430070湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法。一种半透明氮化硅陶瓷,其特征在于它由α-Si3N4粉、Al2O3粉和MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和原料制备而成;各原料所占质量百分比为:α-Si3N4粉82~95,Al2O3粉2~8,MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和2~10。当采用MgO粉和Y2O3粉时,Y2O3粉的加入质量大于0,且Y2O3粉的加入质量小于或等于MgO粉和Y2O3粉质量的50%。本发明制备方法得到的半透明氮化硅陶瓷最低相对密度大于97%,平均相对密度接近理论密度。晶粒均匀细小,以等轴α-Si3N4相为主,红外透过率为30%~45%。
搜索关键词: 一种 半透明 氮化 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种半透明氮化硅陶瓷,其特征在于它由α-Si3N4粉、Al2O3粉和MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和原料制备而成;各原料所占质量百分比为:α-Si3N4粉82~95,Al2O3粉2~8,MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和2~10。
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