[发明专利]采用等离子体外喷法制造低水峰光纤预制棒的方法有效
| 申请号： | 200510019436.6 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1765789A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 韩庆荣;罗杰;张树强;谢康 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/012 | 分类号： | C03B37/012;C03B37/018 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王和平 |
| 地址： | 430073湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低水峰光纤预制棒的制造方法，具体地说是一种采用等离子体外喷制备包层从而制造低水峰光纤预制棒的方法。芯棒的剖面折射率分布采用下陷包层设计，芯层的掺氟重量百分含量＝0.30％－0.50％；下陷包层的掺氟重量百分含量＝芯层的掺氟重量百分含量+K×(Δ+－Δ－)，0.70≤K≤1.04，其具体步骤为(1)采用任一工艺制备上述结构的芯棒；(2)采用等离子体外喷法将石英粉沉积在芯棒上制备外包层，即制得低水峰光纤预制棒。本发明特别适于大规模生产低水峰光纤，它具有制造成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 等离子 体外 法制 造低水峰 光纤 预制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用等离子体外喷法制造低水峰光纤预制棒的方法，芯棒的剖面折射率分布采用下陷包层设计：Δ-＝-0.04--0.01％，Δ+＝0.310-0.350％，b/a≥2.3，c/a≥3.9，芯层的掺氟重量百分含量＝0.30％-0.50％；下陷包层的掺氟重量百分含量＝芯层的掺氟重量百分含量+K×(Δ+-Δ-)，0.70≤K≤1.04，其具体步骤为(1)首先制备上述结构的芯棒；(2)采用等离子体外喷法将石英粉沉积在芯棒上制备外包层，即制得低水峰光纤预制棒。
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