[发明专利]方钴矿热电化合物纳米粉体交叉共沉淀制备方法无效
申请号: | 200510019463.3 | 申请日: | 2005-09-21 |
公开(公告)号: | CN1762834A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 唐新峰;褚颖;万玲;赵文俞;张清杰 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C01G51/00 | 分类号: | C01G51/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 李延瑾 |
地址: | 430070湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 交叉共沉淀法制备方钴矿热电化合物纳米粉体的特征在于,采用交叉共沉淀原理,用两种沉淀剂分别沉淀可溶性金属盐,调节溶液的pH值,搅拌一定时间使其充分反应,得到相应的金属氧化物或金属氢氧化物沉淀产物,经过滤、洗涤、分散之后,在真空干燥箱中干燥处理,干燥后的前驱体置于管式气氛炉于450~600℃之间进行还原热处理,最终得到方钴矿热电化合物纳米粉体。本发明具有原料廉价易得、设备简单、周期短、能耗低、粉体粒径细小均匀可控、纯度高等特点,提供了一种适用于大规模制备方钴矿热电化合物纳米粉体技术。 | ||
搜索关键词: | 方钴矿 热电 化合物 纳米 交叉 共沉淀 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种方钴矿热电化合物纳米粉体交叉共沉淀制备方法,包括原料配比、沉淀剂的选择、沉淀工艺参数、过滤、洗涤、分散、干燥条件及还原热处理工艺参数,其特征在于根据原料比例加入两种沉淀剂进行交叉共沉淀,通过调节pH值,并将所获得的沉淀经过滤、洗涤、分散、干燥后,将所得前驱体于管式气氛炉中还原热处理。
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