[发明专利]低温制备C轴择优取向二氧化钛薄膜的方法

摘要

本发明提出了一种低温制备c轴择优取向二氧化钛薄膜的方法。该方法是将钛的氟化物或/和氟钛酸盐溶解在纯水中，然后加入硼酸作为氟离子捕获剂，配成处理溶液，处理溶液的pH值为1.0～2.3，把不锈钢基片垂直浸入到上述处理溶液中，密封后放入温度为40～80℃的烘箱中保温处理5～24小时，取出不锈钢基片并用蒸馏水或去离子水冲洗，在＜100℃干燥，即得到c轴择优取向二氧化钛薄膜。本方法所获得的c轴择优取向二氧化钛薄膜除了可用作光电子功能材料、建筑和装饰装修材料之外，还可用于污水处理、室内外空气净化及杀菌；同时制备方法简单，具有工业化生产的前景。

主权项

1、一种制备c轴择优取向二氧化钛薄膜的方法，其特征在于低温制备法，制备步骤依次为：第1、将钛的氟化物或/和氟钛酸盐溶解在纯水中，然后加入硼酸作为氟离子捕获剂，搅拌均匀配成处理溶液，处理溶液中钛的氟化物或/和氟钛酸盐的摩尔浓度为0.005～0.1M，钛的氟化物或/和氟钛酸盐与硼酸的摩尔比为1∶0～5，处理溶液的pH值为1.0～2.3；第2、把不锈钢基片垂直浸入到步骤1配制的处理溶液中，密封后放入温度为40～80℃的烘箱中保温处理5～24小时；第3、取出经过步骤2保温处理的不锈钢基片并用蒸馏水或去离子水冲洗、在＜100℃干燥，即得到c轴择优取向二氧化钛薄膜；其中，所述的钛的氟化物是四氟化钛，氟钛酸盐为氟钛酸氨、氟钛酸钾或氟钛酸钠。