[发明专利]四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法

摘要

一种四方型结构SnO₂单分散纳米单晶及合成方法。该SnO₂单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶，其直径为5－50纳米，长度为50－300纳米。其方法是将四氯化锡溶解于盐酸溶液，混合均匀后，放入高压釜中，充空气至压力为0.1－1.5兆帕作为预压，在200－400℃下保温4－8小时，直接得到四方型结构SnO₂单分散纳米单晶。本发明的特点是利用溶液的酸度和预压，提高前驱体水解温度，使其在高温下水解，由于此时系统处于高压力下，SnO₂分子结晶时沿被限定的晶面，择优生长，且直接长成密度最大的、几乎无缺陷的四方型结构SnO₂纳米单晶。该晶体用作锂离子电池负极材料，可有效提高电池的充电效率和使用寿命，用作发光器件和发射装置，可提高其发光效应和性能。

主权项

1、一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶，其特征是该SnO2单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶，其直径为5-50纳米，长度为50-300纳米。