[发明专利]PDP保护屏的消除高光反射膜的制作方法无效
| 申请号： | 200510020546.4 | 申请日： | 2005-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1757443A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 梁春林;汤嘉陵;王雨田;张勇;蒲志勇 | 申请（专利权）人： | 四川世创达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B05D5/06 | 分类号： | B05D5/06;B05D7/24;B05D3/02;B05D3/00 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 | 代理人： | 蒲敏 |
| 地址： | 610512*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种PDP保护屏的消除高光反射膜的制作方法，其具体步骤为：1)静电处理：对PET表面进行静电释放处理；2)掺杂配料：将采用纳米粒子分散技术处理后的具有高折射率和低折射率的纳米粒子材料，分别掺杂到耐温透明树脂里，配制成具有高、低折射率的纳米粒子透明树脂；3)浸渍、涂敷：将调配好的具有高、低折射率的纳米粒子透明树脂，分别在上述静电处理后的PET薄膜表面上，交替层叠浸渍、涂敷，制成均匀、致密的薄膜；4)烘干：在60℃～80℃的环境中，加热烘干即成。由于本发明的涂敷材料首先要经过纳米技术处理，因此薄膜致密、均匀，真正做到纳米级粒子分散，膜层附着力强，雾度低，对比度高。 | ||
| 搜索关键词： | pdp 保护 消除 反射 制作方法 | ||
【主权项】：
1、PDP保护屏的消除高光反射膜的制作方法，其制作方法为：1)静电处理：对PET表面进行静电释放处理；2)掺杂配料：将采用纳米粒子分散技术处理后的具有高折射率和低折射率的纳米粒子材料，分别掺杂到耐温透明树脂里，配制成具有高、低折射率的纳米粒子透明树脂；3)浸渍、涂敷：将调配好的具有高、低折射率的纳米粒子透明树脂，分别在上述静电处理后的PET薄膜表面上，交替层叠浸渍、涂敷，制成均匀、致密的薄膜；4)烘干：在60℃～80℃的环境中，加热烘干即成。
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