[发明专利]一种制备一维纳米二氧化锡材料的方法无效
申请号: | 200510021119.8 | 申请日: | 2005-06-21 |
公开(公告)号: | CN1724383A | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | 刘春明;祖小涛 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C01G19/02 | 分类号: | C01G19/02;B82B3/00 |
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地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备一维结构的纳米SnO2材料的方法。其制备工艺流程为:将SnCl4·5H2O配成溶液,加入氨水使之形成沉淀,离心洗涤除去氯离子,加入草酸形成溶胶,经老化形成凝胶,凝胶经干燥、烧结,最终得到目的产物。其技术方案实质是通过控制化学反应的动力学因素,制备出高纯度的具有一维结构的纳米SnO2材料。本发明具有制备工艺简单,反应条件温和,原料和设备的成本较低等优点。本发明方法制备的一维结构纳米SnO2材料在高灵敏度气体传感器、透明电极等方面具有应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 纳米 氧化 材料 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备一维纳米二氧化锡材料的方法,其特征是包括以下步骤:1)、配制SnCl4水溶液使用SnCl4·5H2O作为原料,将其溶于蒸馏水中,配制成一定浓度的SnCl4溶液,并用弱酸调节溶液的PH值在1-2之间;2)、加入氨水,直至溶液PH值为7-8之间,反应生成Sn(OH)4沉淀;3)、取出Sn(OH)4沉淀,将其进行离心洗涤采用离心设备,将Sn(OH)4沉淀进行离心洗涤,以除去Sn(OH)4沉淀上吸附的氯离子;4)、制备Sn(OH)4溶胶将Sn(OH)4加入到草酸溶液中,控制PH值在1-2之间,温度在50℃左右,经超声分散并在搅拌条件下形成Sn(OH)4溶胶;5)、形成凝胶将步骤四所制备的溶胶经24-48h老化形成凝胶6)、干燥、研磨将步骤五所得凝胶经100℃以上温度条件下干燥5-8h,除去吸附的水分,所得产物经研磨成粉末;7)、烘干、烧结将步骤六所得Sn(OH)4粉末在250℃-500℃下烧结,经热分解,再结晶即得到具有一维结构的纳米SnO2材料。
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