[发明专利]一种部分绝缘层上硅材料结构及制备方法

摘要

一种部分绝缘层上硅材料结构，包括三层，第一层为支撑硅片层，第三层为器件层，其特征是，它还包括起键合和导电作用的多晶硅中间层，多晶硅层中勘入了一层开有一个或多个窗口的纵向隔离介质层，器件层中可以包含一个或多个位于纵向隔离介质层正上方的横向隔离层介质层。一种部分绝缘层上硅材料结构的制备方法，主要包括采用深槽刻蚀和填充技术制备横向隔离层的步骤；采用热氧化或者汽相沉积等方式和光刻技术制备纵向隔离层步骤；利用低压汽相化学淀积和外延技术制备多晶硅步骤；以及键合、减薄、抛光等步骤。所属材料结构不仅有利于高压器件和低压器件的分区集成，同时避免了采用传统的PN结隔离方式带来的寄生效应，而且高压器件区上下两层之间具有良好的导电性和散热性。

主权项

1、一种部分绝缘层上硅材料结构，包括三层，第一层为支撑硅片层(2)，第三层为器件层(1)，其特征是，它还包括一层中间层，所述中间层为起键合和导电作用的多晶硅层(3)，所述多晶硅层中勘入了一层开有一个或多个窗口的纵向隔离介质层(5)。