[发明专利]以双轴织构MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法

摘要

以双轴织构MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法，涉及微电子材料领域，特别涉及铁电薄膜与半导体集成中界面控制和生长取向的薄膜制备方法。采用本发明方法制备的BaTiO₃薄膜能够达到单一取向，表面均匀，界面扩散得到有效控制，具体的，本发明包括：在真空环境下，加热基片，然后用激光剥离MgO，使MgO等离子体在Si基片上沉积，得到MgO缓冲层；再用激光剥离BTO，使BTO在Si基片上生长，得到BTO薄膜。本发明制备的MgO缓冲层为双轴织构，具有很高的热力学稳定性，三个原胞厚的MgO能阻止界面的扩散；在双轴织构的MgO缓冲层上制备的BTO薄膜为单一的c轴取向，表面平整，在结构上能满足铁电存储器、光学器件的设计。

主权项

1、以双轴织构MgO为缓冲层的单一取向铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)将Si基片和MgO靶材、BTO靶材置于真空环境；2)加热基片；3)用激光剥离MgO，使MgO在Si基片上沉积，得到MgO缓冲层；4)用激光剥离BTO，使BTO在Si基片上生长，得到BTO薄膜。