[发明专利]钛酸锶单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法无效
| 申请号： | 200510021182.1 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1736871A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 梁柱;李言荣;朱俊;张鹰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01F5/02 | 分类号： | C01F5/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 钛酸锶单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法，涉及微电子材料领域，特别涉及应用于氧化物(氧化镁)－复合氧化物(钛酸锶)异质外延中纳米线及其表面周期结构的制备方法。本发明提供的方法制备得到的材料具有优越的电学、光学、力学和热学性质。本发明的方法为：在真空环境下，对钛酸锶单晶基片进行热处理然后以激光剥离氧化镁陶瓷靶材，产生的激光等离子体沉积在钛酸锶单晶基片上，制得氧化镁薄膜；同时监控沉积过程，在钛酸锶基片上形成有序表面周期结构的氧化镁纳米线后，停止沉积。本发明制得的具有序表面周期结构的氧化镁纳米线，将使氧化镁这种功能材料在纳米尺度的范围内体现出有别于块材的特殊光、电、磁、化性质。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸锶单晶基片上 外延 生长 氧化镁 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、钛酸锶单晶基片上外延生长氧化镁纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将氧化镁陶瓷靶材和钛酸锶单晶基片置于真空环境；2)对钛酸锶单晶基片进行热处理；3)激光剥离氧化镁陶瓷靶材，产生的激光等离子体沉积在钛酸锶单晶基片上，制得氧化镁薄膜；4)监控沉积过程，在钛酸锶基片上形成有序表面周期结构的氧化镁纳米线后，停止沉积。
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