[发明专利]采用中频反应磁控溅射铟锡合金靶制备ITO膜的方法及系统有效
| 申请号： | 200510021276.9 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1718848A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 许生;许沭华;谭晓华;段永利;梁红;戚祖强;徐升东 | 申请（专利权）人： | 深圳市豪威光电子设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 彭家恩 |
| 地址： | 518054广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种采用中频反应磁控溅射铟锡合金靶制备ITO膜的方法，包括如下步骤：1)在真空室内设置铟锡合金靶和待镀膜的基片；2)将铟锡合金靶接通中频电源；3)向真空室中通入预置的工作气体和反应气体，在铟锡合金靶与待镀膜的基片之间形成等离子体区，使铟锡粒子从铟锡合金靶中溅射出来；5)检测所述等离子体区金属铟的451nm特定谱线强度；6)将步骤5)检测到的特定谱线强度经过滤波、增强和放大后与预置的工作气体进行比较，根据差值调整反应气体流量，使等离子体区内的铟锡粒子发生氧化反应并形成过渡态后沉积在待渡膜的基片上。本发明还公开了实现上述方法的镀膜系统。采用本发明，既能保证足够高的沉积速率，又能根据需要调节膜层成分的，是一种通过中频反应磁控溅射制备低方阻、高透射率的ITO膜的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 中频 反应 磁控溅射 合金 制备 ito 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种采用中频反应磁控溅射铟锡合金靶制备ITO膜的方法，包括如下步骤：1)在真空室内设置铟锡合金靶；2)将铟锡合金靶接通中频电源；3)向真空室中通入预置的工作气体和反应气体，在铟锡合金靶与待镀膜的基片之间形成等离子体区，使铟锡粒子从铟锡合金靶中溅射出来；4)检测所述等离子体发射光谱中与反应气体分压有关的金属铟的451nm特定谱线强度；5)将步骤4)检测到的金属铟的451nm特定谱线强度经过滤波、增强和放大后与预置的工作点进行比较，根据差值调整反应气体流量，形成反应气体流量的负反馈控制，使等离子体区内的铟锡粒子发生氧化反应并形成过渡态后沉积在待渡膜的基片上。
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