[发明专利]一种基于纳米晶软磁薄膜的磁三明治材料及其制备方法无效
申请号: | 200510021532.4 | 申请日: | 2005-08-26 |
公开(公告)号: | CN1921003A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 文岐业;张怀武;张万里;蒋向东;唐晓莉;彭斌 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;G11B5/39;H01F10/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于纳米晶软磁薄膜的磁三明治材料及其制备方法,该材料是两个铁磁层由一个非磁性金属层隔离而成,其特点是两个铁磁层中一个是纳米晶磁性薄膜,另一个为多晶态的磁性薄膜,总体厚度在10nm以内。这种材料主要由直流磁控溅射方法制备,其制备采用四靶溅射仪,并在四靶溅射仪的基片架上对材料进行原位快速退火,制得的材料具有较小的层间耦合、优良的巨磁阻效应和优越的热稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 晶软磁 薄膜 三明治 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种基于纳米晶磁膜的巨磁阻磁性三明治材料,包括基片12、铁磁层13、非磁性金属隔离层14、铁磁层15和覆盖层16,其特征在于铁磁层13和铁磁层15,一个为纳米晶软磁薄膜,一个为多晶态磁性薄膜,其中,纳米晶软磁薄膜采用钴基软磁材料,如钴铌锆CoNbZr、钴铁硼CoFeB和钴锰硼CoMnB等,厚度为2~4nm,多晶态磁性薄膜采用铁磁材料,如镍Ni,铁Fe,钴Co以及它们的合金材料,钴铁CoFe和坡莫合金NiFe等,厚度为2~6nm,铁磁层13与铁磁层15之间为非磁性金属隔离层14,采用贵金属材料,如Cu等,厚度为2~5nm,铁磁层上直接沉积覆盖层16,覆盖层16采用Ta等惰性材料,厚度为2nm。
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