[发明专利]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 200510021536.2 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1738055A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杜江峰;卢盛辉;靳翀;罗谦;夏建新;杨谟华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域，包括衬底上依次形成的成核层、GaN层和势垒层，以及势垒层上的源极、栅极和漏极，其中源极、漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，其特征是，它还包括一层位于势垒层上、栅极和漏极之间的，并与栅极和漏极相连的半绝缘材料层。所述势垒层和半绝缘材料层之间还可有一层绝缘材料层。其中的半绝缘材料层，相当于一个电阻型场板，利用这一场板对其下面的势垒层中的电场分布产生的调制作用，降低栅漏之间电场的峰值，从而提高了栅漏之间击穿所需的电压，也即提高晶体管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底(7)上依次形成的成核层(6)、GaN层(5)和势垒层(4)，以及势垒层(4)上的源极(1)、栅极(2)和漏极(3)，其中源极(1)、漏极(3)与势垒层(4)形成欧姆接触，栅极(2)与势垒层形成肖特基接触，其特征是，它还包括一层位于势垒层(4)上、栅极(2)和漏极(3)之间的，并与栅极(2)和漏极(3)相连的半绝缘材料层(8)。
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