[发明专利]一种结晶二硅酸钠的制备方法无效
| 申请号： | 200510021581.8 | 申请日： | 2005-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1762804A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 汤日新 | 申请（专利权）人： | 成都长江通信有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/32 | 分类号： | C01B33/32 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴彦峰 |
| 地址： | 610225四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结晶二硅酸钠的制备方法，其制备方法按如下步骤进行：将15～30％的硅酸钠水溶液，用热空气喷雾干燥形成粉末状非晶形二硅酸钠，将粉末状非晶形二硅酸钠经旋转窑中的脱水窑脱水，将粉末状非晶形二硅酸钠送入旋转窑中的结晶窑烧结成层状结构的二硅酸钠，其中结晶窑加热采用内热式燃气直接顺流加热，结晶窑出口处得到层状结晶二硅酸钠。本发明结构简单，易于制造。生产工序简化，易于生产控制；大幅节约能耗，降低生产成本；燃气原料易得，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶 硅酸钠 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种结晶二硅酸钠的制备方法，其特征在于按如下工艺步骤进行：A、硅酸钠中SiO2与Na2O的摩尔比控制在1.8～2.3∶1，将15～30％的硅酸钠水溶液，用温度为200-350℃热空气喷雾干燥，得到含水量为20～40％的粉末状非晶形二硅酸钠；B、将步骤A得到的粉末状非晶形二硅酸钠，送入旋转窑的脱水窑中，在温度100～300℃下进行脱水，使粉末状非晶形二硅酸钠的含水量控制在10～30％，表观密度为200～800克/升；C、将步骤B得到的粉末状非晶形二硅酸钠，送入旋转窑的结晶窑中进行烧结，烧结过程是采用内热式燃气直接对粉末状非晶形二硅酸钠进行顺流加热，控制结晶窑体入口处加热温度在600～900℃，出口处温度在200～500℃，控制烧结时间10～90分钟，则在结晶窑出口处即可得到层状结晶的二硅酸钠，其中6相层状结构的二硅酸钠含量达到70％以上。
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