[发明专利]高能射线屏蔽Pb基复合材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510021643.5 申请日: 2005-09-12
公开(公告)号: CN1746324A 公开(公告)日: 2006-03-15
发明(设计)人: 涂铭旌;刘颖;李军;杨文锋;杨林;李德安 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C22C21/00 分类号: C22C21/00;C22C49/08;C22C1/05;C22C1/10;C22C1/08
代理公司: 成都科海专利事务有限责任公司 代理人: 吕建平
地址: 610065四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种B4C增强或B4C与金属纤维的复合增强Pb基复合材料及其制备方法。复合材料的组成为:基体是铅基合金PbXy(X为Sb、Sn、Sb-Sn、Ag、Au、Cr、Co、Cu、Al、Cd和As,y=0~8),增强体是B4C或B4C与金属纤维的复合增强体。复合材料的组分配比为:铅基合金的体积百分比在50%~95%之间,B4C增强体或B4C与金属纤维的复合增强体的体积百分比在5%~50%之间。通过粉末冶金成型法或熔铸成型法,得到的致密的复合材料。相比于纯Pb基材料,这种新型复合材料不仅具有屏蔽γ射线和中子类高能射线的综合屏蔽效果,而且抗拉强度还明显提高。
搜索关键词: 高能 射线 屏蔽 pb 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种高能射线屏蔽Pb基复合材料,其特征在于组成组分包括作为主相的Pb基合金和作为增强相的B4C,复合材料组成组分体积比例分布为:Pb合金 50%~95%;B4C 5%~50%。
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