[发明专利]单元热释电红外探测器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200510021654.3 | 申请日： | 2005-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1746639A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张树人;钟朝位;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10;H01L37/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 单元热释电红外探测器件及其制备方法，属于材料与元器件技术领域。器件包括上下电极和BST陶瓷半导体(5)和包裹在其外面的BST陶瓷氧化层介质(6)；BST陶瓷半导体(5)由掺有1～5wt％稀土杂质的(Ba0.7Sr0.3)TiO3基瓷料经高温烧结和还原热处理制得，其厚度＜0.20mm，电阻率小于10Ω·cm；BST陶瓷氧化层介质(6)由BST陶瓷半导体(5)经表面氧化制得，其厚度控制在5～10μm。器件的制备方法至少包括以下顺序步骤：瓷料制备、瓷胚制作、高温烧结、还原气氛热处理、表面氧化和电极制作。本发明有利提高热释电红外探测器件的热释电系数，从而提高热释电红外探测器灵敏度；通过瓷体半导化层和表面绝缘层厚度的适当选择，既可保证探测器的强度又可保证探测器的性能；制备方法简单易控。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 热释电 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、单元热释电红外探测器件，包括上电极(1)、下电极(3)，其特征是，它还包括位于上下电极之间的BST陶瓷半导体(5)和包裹在BST陶瓷半导体(5)外面的BST陶瓷氧化层介质(6)；所述BST陶瓷半导体(5)的厚度＜0.20mm，电阻率小于10Ω·cm；所述的BST陶瓷氧化层介质(6)的厚度控制在5～10um。
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