[发明专利]高阶温度补偿CMOS电流基准源无效
申请号: | 200510021871.2 | 申请日: | 2005-10-18 |
公开(公告)号: | CN1779591A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 周号;张波;李肇基 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24;G05F3/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 高阶温度补偿CMOS电流基准源,属于电子技术领域,特别涉及温度补偿CMOS电源技术领域。包括启动电路、一阶温度补偿电流产生电路、一阶温度补偿电流的高温段补偿电流产生电路、一阶温度补偿电流的低温段补偿电流产生电路和电流叠加电路。本发明所提供的高阶温度补偿CMOS电流基准源,具有非常低的温度系数,可以在电流模式电路、高精度数模转换电路和有长金属线的模拟集成电路中。 | ||
搜索关键词: | 温度 补偿 cmos 电流 基准 | ||
【主权项】:
1、高阶温度补偿CMOS电流基准源,包括启动电路、一阶温度补偿电流产生电路、一阶温度补偿电流的高温段补偿电流产生电路、一阶温度补偿电流的低温段补偿电流产生电路和电流叠加电路;所述启动电路为一阶温度补偿电流产生电路、一阶温度补偿电流的高温段补偿电流产生电路、一阶温度补偿电流的低温段补偿电流产生电路和电流叠加电路提供启动偏置电压;所述一阶温度补偿电流产生电路产生经过一阶温度补偿的电流;所述一阶温度补偿电流的高温段补偿电流产生电路产生一阶温度补偿电流的高温段补偿电流;所述一阶温度补偿电流的低温段补偿电流产生电路产生一阶温度补偿电流的低温段补偿电流;所述电流叠加电路将一阶温度补偿电流产生电路、一阶温度补偿电流的高温段补偿电流产生电路和一阶温度补偿电流的低温段补偿电流产生电路所产生的三个电流进行叠加后输出近似与温度无关的基准电流。
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