[发明专利]共蒸发结合后退火工艺制备AlSb薄膜

摘要

共蒸发结合后退火工艺制备AlSb薄膜，本项发明所属域为新型光电子材料。在开发新型太阳能电池材料的过程中，AlSb由于具有能隙宽度为1.6eV，可吸收太阳可见光谱能量的98％因而受到人们的重视。目前制备高质量AlSb薄膜的方法和手段较少，主要有AlSb单晶溅射沉积，高温衬底Al、Sb共蒸发沉积。用单晶溅射沉积需要高品质的AlSb单晶，由于原料成本问题，此法难以在太阳电池中采用；高温衬底共蒸发，需在高真空条件下对衬底加温600℃以上，对沉积设备要求很高。本发明主要是采用室温衬底共蒸发Al、Sb，然后用退火方法来获得AlSb薄膜，使得共蒸发设备成本大幅降低，有利于工业化制备AlSb薄膜。

主权项

1.共蒸发结合后退火工艺制备AlSb薄膜，其特征在于沉积薄膜采用两步方式完成，先用共蒸发方式在衬底上面沉积Al和Sb元素，形成Al、Sb两元素的共混薄膜，然后再用高温退火方式对沉积薄膜进行退火，使得共混状态的Al、Sb生成AlSb薄膜。