[发明专利]一种氧化钒薄膜的制备方法

摘要

一种氧化钒薄膜的制备方法，属于电子材料技术领域，具体涉及一种制备氧化钒薄膜的方法。本发明采用反应离子溅射镀膜工艺制备氧化钒薄膜，通过严格控制反应气体流量，降低制备的工艺难度，增加工艺的可重复性；通过本发明能够制备性能优良的以二氧化钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，其电阻—温度系数(TCR)在30℃时，达到3％以上。

主权项

1、一种氧化钒薄膜的制备方法，其特征是依次包括以下步骤：1)、准备衬底基片，所准备的衬底基片需要表面清洁；2)、采用反应离子溅射镀膜工艺制备氧化钒薄膜，具体工艺条件为：靶材：纯金属钒；本底真空度：＜10-3Pa；溅射温度：200±1℃；O2∶Ar＝1∶1.5～1∶2.5；工作气压：2.8±0.6Pa左右；溅射过程中O2流量：1.6～2.6sccm；溅射过程中Ar流量：3.9±0.2sccm；溅射电压：240～250V；溅射过程中对气体流量进行动态的精确控制，直至镀膜结束；3)、在氩气环境中自然冷却至室温。