[发明专利]掺镱和四价铬钇铝石榴石激光晶体的生长方法无效
| 申请号： | 200510022205.0 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1804150A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 徐天华;赵世平;张志斌;杨永强;彭维清;罗蜀平 | 申请（专利权）人： | 西南技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B15/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610041四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及掺镱(Yb)和四价铬(Cr4+)钇铝石榴石(YAG:Yb，Cr4+)激光晶体的引上生长方法。包括原料组分，掺杂配方，加热方式，生长参数和生长气氛选择，固液界面形状控制，晶体退火等方面。本发明的主要特征是采用了包括“镱+镁+铬”和“镱+钙+镁+铬”两种掺杂体系，以实现三价铬离子(Cr3+)能有效地向四价铬(Cr4+)充分转化。该晶体同时具有由Yb3+离子产生1.03μm波长激光并由Cr4+对该波长实现被动调Q的双重功能。 | ||
| 搜索关键词： | 四价铬钇铝 石榴石 激光 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、掺镱和四价铬钇铝石榴石激光晶体的生长方法，其特征在于：按如下化学方程式配制原料：，式中：x＝0.003～0.25， y＝0.001～0.015， z＝0.005～0.08。
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